ESD静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array）,是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护。
　　ESD静电二极管参数说明：
　　1、VRWM：反向截止电压
　　通俗地讲，就是ESD允许施加的zui大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。
　　2、VBR：击穿电压
　　击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。
　　3、IR：反向漏电流
　　即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。
　　4、IPP：峰值脉冲电流
　　一般采用8/20μs的波形测量。
　　5、VC：钳位电压
　　在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。
　　6、CJ：结电容
　　ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD,工作电压越高结电容就越低。